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      【兆恒機(jī)械】光刻技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要地位(18)

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      • 添加日期:2021年03月17日

       

          ●ITRS與光刻技術(shù)發(fā)展

         《今日材料》(MaterialsToday)是Elsevier出版集團(tuán)旗下的材料科學(xué)評(píng)論期刊,是一份在材料學(xué)業(yè)界享有盛名的出版物?!督袢詹牧稀吩?008年評(píng)選出材料科學(xué)領(lǐng)域在過去50年間的十大進(jìn)展。其中一些科研發(fā)現(xiàn)改變了該領(lǐng)域的研究方向,另外一些則為材料科學(xué)領(lǐng)域提供了新的機(jī)會(huì)和研究方向。

         令人驚訝的是,排在首位的并不是某項(xiàng)具體的研究成果,而是一種優(yōu)先選擇研究方向和制定研發(fā)計(jì)劃的方式——ITRS?!秶?guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖》(ITRS)通過設(shè)定創(chuàng)新和技術(shù)需求的目標(biāo)推動(dòng)了微電子行業(yè)的巨大進(jìn)展。ITRS融合了科學(xué)、技術(shù)和經(jīng)濟(jì)學(xué),很難想象在材料學(xué)領(lǐng)域還有什么能超越它對(duì)這個(gè)領(lǐng)域進(jìn)展所起的推動(dòng)作用。

          ITRS全稱為International Technology Roadmap forSemiconductors,中文譯名為國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖。



      ITRS發(fā)布的權(quán)威研究報(bào)告封面

         ITRS是由歐洲、日本、韓國(guó)、臺(tái)灣、美國(guó)五個(gè)主要的芯片制造地區(qū)發(fā)起的。

         發(fā)起組織分別是:

          EuropeanSemiconductor Industry Association (ESIA,歐洲半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì));
          the JapanElectronics and Information Technology Industries Association(JEITA,日本電子與信息技術(shù)工業(yè)協(xié)會(huì));
          the KoreanSemiconductor Industry Association (KSIA,韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì));
          the TaiwanSemiconductor Industry Association (TSIA,臺(tái)灣半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì));
          the UnitedStates Semiconductor Industry Association(SIA,美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)聯(lián)盟)。

         ITRS的目的是確保集成電路(IC)和使用IC的產(chǎn)品在成本效益基礎(chǔ)上的性能改進(jìn),從而持續(xù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康和成功。

         ITRS每年會(huì)組織會(huì)議對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展方向進(jìn)行討論,通過全球芯片制造商、設(shè)備供應(yīng)商、研究團(tuán)體和consortia的協(xié)作努力,ITRS團(tuán)隊(duì)識(shí)別關(guān)鍵的挑戰(zhàn),鼓勵(lì)創(chuàng)新解決方案,并歡迎來自半導(dǎo)體團(tuán)體的分享。而最為重要的則是每年在會(huì)后發(fā)布的ROADMAP(線路圖),ITRS在業(yè)內(nèi)發(fā)布的ROADMAP具有半導(dǎo)體行業(yè)最高權(quán)威性。


      半導(dǎo)體光刻工藝40年發(fā)展歷程與預(yù)測(cè)

         上圖為依據(jù)ITRS報(bào)告制作的半導(dǎo)體光刻回顧與展望路線圖,從圖中我們可以看到EVU技術(shù)雖然進(jìn)展坎坷商業(yè)化困難重重,但是這項(xiàng)技術(shù)前景仍然看好。但是目前最為實(shí)際的情況是193nm光刻技術(shù)借助于沉浸式技術(shù),已經(jīng)能夠延續(xù)到11nm工藝,這為今后幾年的半導(dǎo)體器件蝕刻提供了穩(wěn)定的技術(shù)支撐。


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